905nm隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器

作     者：司东海 李建军 付莹莹 邓军 韩军 SI Dong-hai;LI Jian-jun;FU Ying-ying;DENG Jun;HAN Jun

作者机构：北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室北京100124 

基　　金：北京市教委能力提升(PXM2014 014204 07 000018)的资助项目 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2016年第27卷第2期

页      码：139-144页

摘      要：通过对有源区、波导层、限制层和隧道结的分析,设计了激射波长为905nm的隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器。采用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)系统外延法生长了器件,并经过光刻、腐蚀、解理和焊装等工艺,制备了激射波长为905nm的隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器。腔面未镀膜时,在1.2A的脉冲注入电流下,器件的峰值波长为904.4nm,垂直远场为单峰,发散角为25.8°,表明两个有源区的光场未发生耦合,斜率效率为1.12 W/A,为相同结构单有源区器件的1.9倍。

主 题 词：半导体激光器 隧道结 非耦合 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.16136/j.joel.2016.02.0663

馆 藏 号：203782490...