场限环结构电压和边界峰值电场分布及环间距优化

作     者：何进 张兴 

作者机构：北京大学微电子学研究所北京100871 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2003年第23卷第2期

页      码：164-169页

摘      要：采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析 ,提出了平面结场限环结构的电压分布和边界峰值电场的解析理论。以单场限环为例 ,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式。讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电压的影响 ,并用流行的 2 -D半导体器件模拟工具 MEDICI对解析计算进行了验证。根据临界电场击穿近似 ,讨论了环间距的优化设计并给出了优化环间距表达式。在一定结深和掺杂浓度时 。

主 题 词：场限环 击穿电压 边界峰值电场 环间距 功率集成电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2003.02.008

馆 藏 号：203782865...