亚100nm SOI器件的结构优化分析

作     者：王文平 黄如 张国艳 

作者机构：北京大学微电子学研究所北京100871 

基　　金：国家重点基础研究专项基金 (编号 :2 0 0 0 0 36 50 1) 国家自然科学基金资助项目 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2003年第24卷第9期

页      码：986-990页

摘      要：分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响 ,给出了器件各结构参数的优化方向 ,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区 .在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处 ,阈值电压的漂移有一个峰值 ,在器件设计时应避免选用这一交界区 .此外 ,随着硅膜厚度的减小 ,器件的泄漏电流随着沟道掺杂浓度的不同 ,有一个极小值 .通过模拟分析发现 ,只要合理选择器件的结构参数 。

主 题 词：SOI器件 短沟效应 结构优化 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2003.09.019

馆 藏 号：203782902...