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电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计

电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计

作     者:郭斌 吴春亚 孟志国 林立 杨广华 李娟 周祯华 熊绍珍 

作者机构:南开大学光电子所天津300071 

基  金:国家自然科学基金资助项目(60077011 69907002) 国家863计划资助项目(2002AA303261) 天津市自然科学基金资助项目(023602011) 

出 版 物:《光电子.激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期:2004年第15卷第2期

页      码:142-146页

摘      要:模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)有源矩阵有机发光二极管(AM LOED)像素单元的poly SiTFT/OLED耦合对的J V特性和poly SiTFT电流镜的I V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上,采用电流模式的poly SiTFTAM OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly SiTFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化。结果表明,poly SiTFT/OLED耦合对的驱动电压低,在200A/m2下不超过8V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0.0~2.5μA时饱和电压只有1.5~2.5V。

主 题 词:有机发光二极管 多晶硅薄膜晶体管 有源矩阵 电流编程驱动 电流镜 AM-OLED 

学科分类:08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录:

D O I:10.3321/j.issn:1005-0086.2004.02.004

馆 藏 号:203783056...

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