基于倍增技术的超低压高精度CMOS开关设计

作     者：郑金鹏 张生才 姚素英 徐江涛 李树荣 卜春雨 ZHENG Jin-peng;ZHANG Sheng-cai;YAO Su-ying;XU Jiang-tao;LI Shu-rong;BU Chun-yu

作者机构：天津大学电子信息工程学院天津300072 

基　　金：天津市科技攻关基金 

出 版 物：《哈尔滨工业大学学报》 (Journal of Harbin Institute of Technology)

年 卷 期：2006年第38卷第6期

页      码：928-930,956页

摘      要：设计一种能够工作在超低电源电压下的CMOS开关.该结构运用电压倍增器获得高压,此高压使开关产生的恒定大跨导和大信号摆幅能够在低压电路中传输信号,虚拟开关提高了信号传输精度.在分析电路工作机理的基础上,结合0.35μm标准工艺模型优化了电路参数.合理的电路结构设计和版图设计增加了电路的使用寿命.理论分析和Hsp ice模拟结果表明:该结构能够在低于1 V电源电压下工作,虚拟开关的应用使信号传输精度从69%提高到99.7%.该结构实现了低压下高精度的模拟开关设计.

主 题 词：高精度 CMOS开关 信号摆幅 自举电路 

学科分类：080903[080903] 0810[工学-土木类] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0367-6234.2006.06.028

馆 藏 号：203786979...