镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究

作     者：罗俊尧 刘光壮 杨曌 李保昌 沓世我 LUO Jun-yao;LIU Guang-zhuang;YANG Zhao;LI Bao-chang;TA Shi-wo

作者机构：广东风华高新科技股份有限公司广东肇庆526000 新型电子元器件关键材料与工艺国家重点实验室广东肇庆526020 广东农工商职业技术学院广东广州510000 

出 版 物：《真空》 (Vacuum)

年 卷 期：2019年第56卷第5期

页      码：61-64页

摘      要：本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系(CNA:HNO3:H2O)中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽(15±1)μm,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。

主 题 词：薄膜电阻 镍铬硅 湿法刻蚀 磁控溅射 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.13385/j.cnki.vacuum.2019.05.12

馆 藏 号：203787439...