压接型IGBT均流设计

作     者：刘国友 窦泽春 罗海辉 覃荣震 王彦刚 LIU Guoyou;DOU Zechun;LUO Haihui;QIN Rongzhen;WANG Yangang

作者机构：新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001 株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001 中车株洲电力机车研究所有限公司湖南株洲412001 

基　　金：National Natural Science Foundation Committee-State Grid Corporation Fundamental Research Funds for the Central Universities, (2019MS001) 

出 版 物：《中国电力》 (Electric Power)

年 卷 期：2019年第52卷第9期

页      码：20-29页

摘      要：针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计。试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件内部均流状态较好。

主 题 词：均流 压接型 IGBT 设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.11930/j.issn.1004-9649.201907122

馆 藏 号：203787978...