SiC肖特基功率二极管在Boost功率因数校正器应用中的性能评估

作     者：G.斯匹雅兹 S.布索 M.希特隆 M.柯拉丁 R.皮洛彭 刘军 范敬宜 

作者机构：意大利帕多瓦大学信息工程系 北京京仪椿树整流器有限责任公司 

出 版 物：《电力电子》 (Power Electronics)

年 卷 期：2004年第2卷第3期

页      码：21-24页

摘      要：实验评估了600V,4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌,SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用,作者考虑选用一种300W,按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果,特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果,本文表明在功率因数校正器设计中, 采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

主 题 词：SiC肖特基功率二极管 Boost功率因数校正器 性能评估 电磁干扰 半导体材料 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203793087...