部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究

作     者：尹雪松 姜凡 刘忠立 YIN Xue-song;JIANG Fan;LIU Zhong-li

作者机构：中国科学院半导体研究所微电子研究发展中心北京100083 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2005年第30卷第4期

页      码：54-57页

摘      要：介绍了部分耗尽型 SOI　MOS 器件浮体状态下的 Kink 效应及对模拟电路的影响。阐述了 4 种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型 SOI　MOS 器件 Kink 效应的工艺方法,同时给出了部分耗尽型　SOIM O S F E T 工作在浮体状态下时模拟电路的设计方法。

主 题 词：部分耗尽型SOI 模拟电路 Kink效应 体接触 共源共栅 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2005.04.015

馆 藏 号：203793286...