低压低功耗模拟集成电路设计技术及展望

作     者：邹志革 邹雪城 黄峰 ZOU Zhi-ge;ZOU Xue-cheng;HUANG Feng

作者机构：华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2006年第36卷第1期

页      码：60-65,69页

摘      要：低压、低功耗模拟集成电路设计受到多种因素的制约。围绕这些制约因素,回顾了国内外在模拟集成电路低压、低功耗设计领域的方法和技术的发展现状,主要涉及:轨对轨设计技术、亚阈值工作区技术、阈值电压降低技术、组合晶体管技术、横向BJT技术、SOI技术等。分析并比较了各种设计方法的优劣;并对模拟电路低压低功耗设计技术的发展趋势进行了展望。

主 题 词：低压低功耗 模拟集成电路 轨对轨 亚阈值工作区 SOI 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.018

馆 藏 号：203793580...