Chemical Vapor Deposition Mechanism of Copper Films on Silicon Substrates

作     者：Song Wu Bo Tao Yong-ping Shen Qi Wang Song Wu;Bo Tao;Yong-ping Shen;Qi Wang

作者机构：Department of Chemistry Zhejiang University Hangzhou 310027 China 

基　　金：ACKN0WLEDGMENT This work was supported by the National Natural Science Foundation of China (No.20576112) 

出 版 物：《Chinese Journal of Chemical Physics》 (化学物理学报（英文）)

年 卷 期：2006年第19卷第3期

页      码：248-252页

摘      要：一个万用的金属器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 系统被设计并且构造。铜电影在硅(100 ) 上被扔由用 Cu (hfac )2 的化学蒸汽免职(CVD ) 的底层作为一位先锋。由 Cu (hfac )2 的 H 2 减小的硅底层上的 Cu 原子核的生长被原子力量显微镜学和扫描电子显微镜学学习。Cu 原子核的生长模式是开始 Volmer 网模式(岛) ，然后到 Stranski-Rastanov 模式(加岛的 layer-by-layer ) 的变换。硅(100 ) 上的 Cu 成核的机制底层被 X 光检查光电子进一步调查光谱学。从 Cu2p， O1s， F1s， Si2p 模式，观察 C=O，哦并且 CF 3/CF2 应该属于 Cu (hfac )2 的热分离形成的 Cu (hfac ) 。H 2 在表面上与 hfac 反应，生产哦。与它的累积，哦与 hfac 反应，形成 HO-hfac，并且同时，使放出铜氧化物被减少，并且因此，在 Cu (hafc )2 之间的氧化还原作用反应和 H 2 发生。

主 题 词：有机金属化学气相沉积 铜薄膜 单晶硅(100) 沉积反应机理 

学科分类：081704[081704] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 0703[理学-化学类] 070301[070301] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.1360/cjcp2006.19(3).248.5

馆 藏 号：203793694...