700V外延LDMOS模型的建立与参数提取

作     者：王邦麟 程东方 徐志平 关彦青 Wang,Banglin;Cheng,Dongfang;Xu,Zhiping;Guan,Yanqing

作者机构：上海大学微电子中心微电子与固体电子学200072 

基　　金：上海市教委204453项目即单片高压集成电路设计与研究 

出 版 物：《微计算机信息》 (Control & Automation)

年 卷 期：2006年第22卷第1S期

页      码：134-136页

摘      要：本文借助二维数值模拟软件MEDICI对700V外延型LDMOS特性进行分析,对其电流饱和机理做了研究,在此基础上采用宏模型的建模方法,给出LDMOS的等效电路模型。并用参数提取软件Aurora,提取了相应得参数。在Cadence下仿真取得了较好的效果。

主 题 词：LDMOS 饱和栅压 等效电路模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1008-0570.2006.28.048

馆 藏 号：203793773...