1.6 GHz薄膜体声波谐振器研究

作     者：胡靖华 孙晓冬 张凯 张小玲 胡光 顾豪爽 

作者机构：武汉理工大学理学院武汉430070 湖北大学铁电压电材料重点实验室武汉430062 

基　　金：武汉理工大学校基金(XJJ2004112) 

出 版 物：《武汉理工大学学报》 (Journal of Wuhan University of Technology)

年 卷 期：2009年第31卷第13期

页      码：22-25页

摘      要：AlN材料具有良好的压电特性和很高的声波速度,是制作性能优良薄膜体声波器件的首选材料之一。对氮化铝薄膜体声波谐振器原理进行了分析,探讨了氮化铝薄膜体声波谐振器的设计方法,在制备高c-轴取向氮化铝薄膜的基础上,通过上电极和氮化铝薄膜一次光刻两步刻蚀工艺方法制作了1.6 GHz氮化铝薄膜体声波谐振器,并探讨了谐振器的频率影响因素。

主 题 词：薄膜体声波谐振器 c-轴取向 反应刻蚀 

学科分类：0810[工学-土木类] 07[理学] 070205[070205] 0805[工学-能源动力学] 0812[工学-测绘类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3963/j.issn.1671-4431.2009.13.007

馆 藏 号：203794798...