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带有源巴伦的CMOS宽带低噪声放大器设计

带有源巴伦的CMOS宽带低噪声放大器设计

作     者:陈晓飞 李小晶 邹雪城 林双喜 

作者机构:华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074 武汉工程大学电气信息学院湖北武汉430073 

基  金:国家自然科学基金资助项目(61076030) 

出 版 物:《华中科技大学学报(自然科学版)》 (Journal of Huazhong University of Science and Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期:2013年第41卷第5期

页      码:45-47,51页

摘      要:设计了一种400~800MHz带有源巴伦的低噪声放大器(balun-LNA).电路输入级采用共栅结构实现宽带匹配,输出端使用共源漏技术来实现巴伦功能,将单端输入信号转变为差分输出信号,利用参数优化设计来降低噪声性能.电路采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺仿真,结果表明:在400~800 MHz工作频段内,balun-LNA的输入反射系数小于-12dB,噪声系数为3.5~4.1dB,电压增益为18.7~20.5dB,在3.3V电压下功耗约为17.8mW.

主 题 词:低噪声放大器 宽带 噪声系数 共栅 巴伦 低功耗 

学科分类:0810[工学-土木类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 080402[080402] 0835[0835] 081002[081002] 

核心收录:

D O I:10.13245/j.hust.2013.05.007

馆 藏 号:203796543...

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