采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计

作     者：张立军 吴晨 王子欧 毛凌锋 Zhang Lijun;Wu Chen;Wang Ziou;Mao Lingfeng

作者机构：苏州大学城市轨道交通学院苏州215006 苏州秉亮科技有限公司苏州215021 

基　　金：国家自然科学基金(61272105 61076102)资助项目 

出 版 物：《高技术通讯》 (Chinese High Technology Letters)

年 卷 期：2014年第24卷第2期

页      码：171-176页

摘      要：给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗。该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的读写操作,而NMOS关闭则会将源极电压抬高至钳位电压,降低漏电流的同时保证了数据的稳定性;对SRAM结构进行独特的布局,引入Z译码电路,极大地减少每次操作时激活的存储单元数量,明显降低动态功耗;将power-gating技术与高阈值(highV_(th))器件相结合的低功耗设计应用于外围电路,进一步降低漏电流。基于UMC 55nm SP CMOS工艺制造了包含多个SRAM实例(instance)的测试芯片,测试结果证明了该技术的有效性与可靠性。

主 题 词：静态随机存储器(SRAM) 低功耗 钳位二极管 漏电流 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.3772/j.issn.1002-0470.2014.02.010

馆 藏 号：203796874...