Si基JBS整流二极管的设计与制备

作     者：王朝林 王一帆 岳红菊 刘肃 Wang Zhaolin;Wang Yifan;Yue Hongju;Liu Su

作者机构：兰州大学微电子研究所兰州730000 西安微电子技术研究所西安710054 

基　　金：甘肃省科技支撑计划-工业类(090GKCA049) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2012年第37卷第3期

页      码：180-183页

摘      要：基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。

主 题 词：Si基JBS整流二极管 功率肖特基二极管 蜂窝状结构 I-V特性 场限环 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2012.03.004

馆 藏 号：203801619...