808nm高效率激光二极管

作     者：陈宏泰 车相辉 林琳 位永平 王晶 黄科 张世祖 徐会武 王晓燕 杨红伟 安振峰 花吉珍 Chen Hongtai;Che Xiangbui;Lin Lin;Wei Yongping;Wang Jing;Huang Ke;Zhang Shizu;Xu Huiwu;Wang Xiaoyan;Yang Hongwei;An Zhenfeng;Hua Jizhen

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2011年第48卷第7期

页      码：418-421页

摘      要：目前808nm高效率激光二极管产品的转换效率只有50%左右,还有很大的提升空间。通过提高欧姆接触层浓度、界面渐变和波导层掺杂等方面的外延材料结构优化,减小附加电压和电阻值,设计制作了808nm大光腔应变量子阱外延材料;并制作了200μm发光区标准单管,提取了材料内部参数,材料内损耗iα为0.67cm-1,内量子效率iη为0.88;将圆片解理成2mm腔长的巴条进行腔面镀膜,并烧结成标准单管,25℃下单管电光效率达到61.1%;将巴条烧结到微通道载体上,制作成标准微通道水冷单条阵列,水温15℃110A下输出光功率126.6W,电光转换效率62.77%。

主 题 词：高效率 激光二极管 808nm 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 大光腔 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2011.07.002

馆 藏 号：203801620...