一种pHEMT小信号等效电路模型提取方法

作     者：曹杰杰 李斌 

作者机构：中国科学院上海天文台 中国科学院研究生院 

基　　金：国家自然科学基金(10903024,11078003) 中国科学院科学事业单位修缮购置专项基金(173018) 国家高技术研究发展计划(863计划,2012AA121603) 

出 版 物：《中国科学院上海天文台年刊》 (Annals Shanghai Astronomical Observatory Chinese Academy of Sciences)

年 卷 期：2012年

页      码：66-73页

摘      要：赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)目前广泛应用于低噪声放大器的设计,其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化(EDA)设计尤为重要。本文介绍了一种pHEMT小信号等效电路模型的参数提取方法,并采用该方法对一款稳懋公司0.15μm工艺pHEMT进行仿真参数提取,结果与稳懋pHEMT模型手册中小信号模型对比,吻合良好,进而希望该模型应用于低温pHEMT小信号模型参数提取。

主 题 词：小信号等效电路模型 pHEMT建模 参数提取 S参数 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203802845...