一种含LDE效应的深亚微米电路设计流程

作     者：冯光涛 陈先敏 杨家奇 FENG Guangtao;CHEN Xianmin;YANG Jiaqi

作者机构：中芯国际集成电路制造有限公司上海201203 

基　　金：国家科技重大专项02专项资助项目(2013ZX02301-001) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2015年第45卷第5期

页      码：670-672页

摘      要：介绍了一种包含LDE效应的深亚微米电路设计流程。分析了100nm以下工艺节点LDE效应对器件的影响,以及传统集成电路设计方法的局限性。在此基础上,提出了包含LDE效应的电路设计方法,并通过中芯国际先进工艺节点的模拟电路设计实例进行了验证。结果表明,在亚100nm工艺节点,尤其在40/45nm及以下节点,LDE效应的影响已不可忽略,需要采用含LDE效应的电路设计流程。

主 题 词：LDE效应 深亚微米 电路设计流程 模拟集成电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2015.05.027

馆 藏 号：203802977...