垂直双栅MOSFET的性能设计和仿真分析

作     者：李青 王昊鹏 荆发标 LI Qing;WANG Hao-peng;JING Fa-biao

作者机构：中国人民解放军31432部队 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2019年第27卷第20期

页      码：36-39,44页

摘      要：针对纳米器件应用程序,本文设计了两侧绝缘支柱上带有双栅结构的垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET);考虑掺杂效应对垂直通道长度的影响,并对这些Lg=50nm的小型设备的工作效果进行分析;将Lg为50nm的设备与传统平面MOSFET进行比较,进而分析其性能;最后对创新设计进行评估,在纳米级领域中将结合了电介质容器(DP)的垂直MOSFET转塔与标准垂直MOSFET的设备性能进行全面的分析比较。结果表明优化掺杂效应可使垂直MOSFET的性能得到极大增强。在DP的排放端附近,源极和漏极之间的电荷共享现象减少,提高了势垒区的栅控制效果,抑制了纳米器件结构的短沟道效应(SCE)。

主 题 词：垂直MOSFET 掺杂效应 平面MOSFET 电介质容器 短沟道效应 

学科分类：08[工学] 082503[082503] 0825[工学-环境科学与工程类] 

D　O　I：10.14022/j.cnki.dzsjgc.2019.20.008

馆 藏 号：203805348...