MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究

作     者：吴金 魏同立 于宗光 

作者机构：南京东南大学微电子中心 

基　　金：国家自然科学基金博士点基金 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：1995年第23卷第11期

页      码：26-30页

摘      要：器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件尺寸限在一定的水平。本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工作的特点，提出了ＭＯＳ器件一种低温按比例缩小规则，该原则对低温器件的优化设计，从而更大程度地提高电路与系统性能具有重要的指导意义。

主 题 词：MOSFET 亚阈特性 低温 按比例缩小 场效应器件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203808724...