大容量闪存正加速开发 64G技术及新单元叠层方法出台

作     者：大石基之 林咏（译） 

作者机构：《日经电子》记者 不详 

出 版 物：《电子设计应用》 (Electronic Design & Application World)

年 卷 期：2007年第9期

页      码：72-76页

摘      要：“基于30nm级工艺的64Gb闪存有望在近期内实现。而且，现有的单元结构有可能不加修改地发展到20nm级。之后，只需要将存储单元以三维形式叠加起来，就可以增大容量。”一家NAND闪存主要生产厂商的制造工程师表示。

主 题 词：大容量闪存 单元结构 4G技术 叠层 开发 NAND闪存 制造工程师 存储单元 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 081001[081001] 081102[081102] 0811[工学-水利类] 

馆 藏 号：203809537...