一种输出可调CMOS带隙基准电压源的设计

作     者：王永顺 史琳 王好德 Wang Yongshun;Shi Lin;Wang Haode

作者机构：兰州交通大学电子与信息工程学院兰州730070 

基　　金：甘肃省科技支撑计划项目(097GKCA052) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2010年第35卷第7期

页      码：736-739页

摘      要：传统设计中平衡温度时的带隙基准电压值是与工艺相关联的定值。主要基于通用的带隙技术讨论在CMOS工艺中基准产生的设计,在对基准产生原理与传统电路结构分析的基础上,设计出一种高PSRR输出可调带隙基准电压源。电路综合温度补偿、电流反馈和电阻分压技术,采用CSMC 0.5μm CMOS混合信号工艺实现,并用Cadence的Spectre进行了仿真优化。仿真结果表明,带隙基准电压源在-15~80℃范围内输出为603.5 mV时的温度系数为6.84×10-6/℃,在1.8~5 V电路均可正常工作。流片后的测试结果验证了该方法的可行性,基准电压中心值可宽范围调整,各项性能参数满足设计要求。

主 题 词：互补金属氧化物半导体 带隙基准 输出可调 温度系数 电源抑制比 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2010.07.031

馆 藏 号：203810507...