铜表面硫化膜形成及其电接触特性

作     者：杨光章 继高 鲍春燕 Yang Guang;Zhang Jigao;Bao Chunyan

作者机构：北京邮电大学 太钢设计院 

出 版 物：《电子工艺技术》 (Electronics Process Technology)

年 卷 期：1999年第20卷第3期

页      码：120-122页

摘      要：用库仑分析法测定了在湿热含Ｈ２Ｓ气氛中铜表面腐蚀膜层的厚度及其随腐蚀时间的变化，对不同Ｈ２Ｓ浓度的膜层变化曲线存在的差异进行了探讨。俄歇能谱分析表明库仑分析法测定铜的硫化腐蚀膜厚度是可靠的。分析了膜层厚度变化对电接触性能的影响及其异常现象。

主 题 词：铜腐蚀膜 库仑分析法 电接触 电子元器件 

学科分类：080503[080503] 080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-3474.1999.03.011

馆 藏 号：203810645...