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基于GMR传感器的4~20 mA两线变送器芯片设计

基于GMR传感器的4~20 mA两线变送器芯片设计

作     者:吴迪 钱正洪 朱华辰 白茹 WU Di;QIAN Zheng-hong;ZHU Hua-chen;BAI Ru

作者机构:杭州电子科技大学磁电子中心浙江杭州310018 

基  金:浙江省重大科技专项(2011C11047) 浙江省"磁电子材料和器件"高校创新团队(2009) 浙江省重点科技创新团队(2010R50010) 

出 版 物:《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期:2015年第38卷第8期

页      码:159-162页

摘      要:巨磁电阻(GMR)传感器具有灵敏度高、线性度好、磁滞小等优异的性能,在工业控制等方面应用广泛。在涉及信号长距离传输的应用中,电压信号容易受线阻影响而衰减,因此通常采用电流环路传递信号。基于GMR传感器,设计了一套4~20 m A两线制电流环系统,其中包括调理电路、V/I转换电路、I/V转换电路三个部分。此系统具有结构简单,增益可调,灵敏度高和抗干扰能力强等特点,能够在400 k Hz的频率下正常工作,满足恶劣环境下应用的指标要求。

主 题 词:GMR传感器 运算放大器 电流环 工业控制 

学科分类:080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.16652/j.issn.1004-373x.2015.08.045

馆 藏 号:203812794...

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