基于GaAs工艺的6～18GHz高效率功放单片设计

作     者：廖学介 滑育楠 刘莹 邬海峰 

作者机构：成都嘉纳海威科技有限责任公司 

出 版 物：《电子世界》 (Electronics World)

年 卷 期：2019年第20期

页      码：183-184页

摘      要：本文叙述了一种基于GaAs pHEMT的宽带功率放大器MMIC设计方法,实现了一款6~18 GHz的1W功放单片。测试结果显示,该功放单片小信号增益24dB,功率增益21dB,输出功率大于31dBm,功率附加效率30%~45%。芯片尺寸为:2.9mm×2.4mm×0.1mm。引言:功率放大器在移动通信、军用雷达和电子战系统中大量使用。功放的输出功率、效率、带宽和尺寸是关键技术参数,在过去几十年得到了长足发展,一直是微波射频领域的一个研究热点。近年微系统概念的兴起,小型化、集成化的功率放大器已经成为大势所趋。砷化镓微波单片集成电路(MMIC)具有集成度高、体积小、重量轻、可靠性高、一致性好等优点,并且可以工作在较高的频率。随着MMIC功放向高功率、高效率的方向发展,它将逐渐取代传统分立元件微波电路。

主 题 词：功率放大器 小信号增益 电子战系统 芯片尺寸 军用雷达 微波电路 移动通信 分立元件 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19353/j.cnki.dzsj.2019.20.103

馆 藏 号：203817053...