SiC器件单粒子效应敏感性分析
作者机构：中国空间技术研究院北京100029 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心北京100029
基 金：国家自然科学基金资助项目(11875068 11475256)
出 版 物：《原子能科学技术》 (Atomic Energy Science and Technology)
年 卷 期：2019年第53卷第10期
页 码：2114-2119页
摘 要：新一代航天器需要使用耐高压、功率损耗低的第3代半导体SiC器件,为了给器件选用和抗辐射设计提供依据,以SiCMOSFET和SiC二极管为对象,进行单粒子效应敏感性分析。重离子试验发现,在较低电压下,重离子会在SiC器件内部产生永久损伤,引起漏电流增加,甚至单粒子烧毁。SiCMOSFET和SiC二极管试验结果类似。试验结果表明SiC器件抗单粒子能力弱,与器件类型关系不大,与SiC材料有关。为了满足空间应用需求,有必要进一步开展SiC器件辐射效应机理、试验方法和器件加固技术等研究。
主 题 词：碳化硅 空间 航天器 辐射效应 单粒子效应 单粒子烧毁
学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 082504[082504] 0825[工学-环境科学与工程类]
核心收录：
D O I：10.7538/yzk.2019.53.10.2114
馆 藏 号：203817644...
