一种55 nm CMOS 5 GHz高效E类射频功率放大器

作     者：王晓蕾 叶坤 王月恒 倪伟 WANG Xiaolei;YE Kun;WANG Yueheng;NI Wei

作者机构：合肥工业大学微电子设计研究所 

基　　金：安徽省科技攻关资助项目(JZ2014AKKG0430) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2019年第49卷第5期

页      码：623-627页

摘      要：为了减小功率放大器的功率损耗、提高功率附加效率,基于TSMC 55nm CMOS工艺,设计了一种工作频率为5GHz的高效率E类射频功率放大器。采用包含驱动级的两级电路结构,提高了电路的功率增益。对负载回路进行优化设计,改善了漏极电压与电流波形交叠的问题,进而提升了效率,同时降低了漏极电压的峰值,缓解了晶体管的击穿压力。仿真结果表明,电源电压为2.5V时,该放大器的输出功率为21.2dBm,功率附加效率为53.1%。

主 题 词：E类功率放大器 CMOS 两级级联结构 功率附加效率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.180500

馆 藏 号：203817770...