两种环栅MOS管的等效宽长比分析研究

作     者：周枭 罗萍 凌荣勋 吴昱操 蒋鹏凯 ZHOU Xiao;LUO Ping;LING Rongxun;WU Yucao;JIANG Pengkai

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 

基　　金：国家自然科学基金联合基金(NSAF)资助项目(U1630117) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2019年第49卷第5期

页      码：718-723页

摘      要：对抗总剂量辐射加固中常用的两种环栅MOS管的等效宽长比进行了研究。对b字形环栅管的宽长比计算模型进行验证,发现b字形环栅结构无法实现小宽长比。分别在0.35μm和0.18μm工艺下进行流片测试,发现该计算模型的准确性较低,测试样品的宽长比最大偏差超过30%。针对b字形环栅结构的缺点,设计了8字形环栅结构,可实现小宽长比管和倒比管,宽长比的值易于预估,且几何尺寸与直栅结构相近。在0.18μm工艺下进行流片验证。测试结果表明,8字形环栅管的饱和电流偏差值均在6%以内,宽长比预估值的准确性较高,能够非常方便地被应用于实际设计中。

主 题 词：总剂量辐射 环栅管 宽长比 b字形 8字形 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.180502

馆 藏 号：203818020...