高性能低功耗高速缓存的V-LRU RAM单周期清零技术

作     者：涂志娣 董磊 李可 岑俊龙 梁松海 TU Zhidi;DONG Lei;LI Ke;CEN Junlong;LIANG Songhai

作者机构：深圳大学光电子学研究所广东深圳518060 深圳大学信息工程学院EDA技术中心广东深圳518060 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2012年第42卷第1期

页      码：97-101页

摘      要：提出并实现了一种高速缓存的V-LRU RAM单周期清零技术。运行操作系统的CPU在不同任务之间切换时,需要对V-LRU RAM清零。使用传统的计数器依次清空V-LRU RAM的各行,CPU会白白浪费很多个时钟周期。在一个时钟周期对V-LRU RAM清空,可以大大提高CPU的性能。在四路组相联的高速缓存设计中,容量为16k、8k和4k字节时,使用该技术可以将以前的256、128和64个时钟周期降低到只有1个时钟周期。基于SMIC 0.13μm工艺,实现该技术的硬件电路面积为6 312.8μm2,且高速缓存的缺失率保持在非常低的水平。这种技术同样适用于对RAM需要单周期清空的场合。

主 题 词：单周期清零 V-LRU RAM 高速缓存 时钟周期 缺失率 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2012.01.024

馆 藏 号：203818384...