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抗辐照相变存储器芯片温度适应性研究

抗辐照相变存储器芯片温度适应性研究

作     者:段欣欣 王敏琪 潘乐乐 邱源 程志渊 Duan Xinxin;Wang Minqi;Pan Lele;Qiu Yuan;Cheng Zhiyuan

作者机构:上海航天电子技术研究所上海201100 浙江大学微电子学院杭州310058 

出 版 物:《计算机测量与控制》 (Computer Measurement &Control)

年 卷 期:2019年第27卷第10期

页      码:214-217,222页

摘      要:分析了相变存储器应用于航天器时应该考虑的高低温可靠性,并设计实验研究镁光公司研发推出的低功耗相变存储芯片LPDDR2-PCM MT66R7072,以评估其空间应用的可行性;实验结果显示:在-40~80℃范围下,相变存储芯片能够正常实现读写操作,在25℃下,待机功耗为9.792mW,最大工作功耗为36.474mW,相对现役空间存储器,表现出明显的低成本、低功耗和高可靠性等优势。

主 题 词:相变存储器 GST 适应性 抗辐照 低功耗 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.16526/j.cnki.11-4762/tp.2019.10.044

馆 藏 号:203818516...

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