用于GPS接收机的130 nm PD-SOI低噪声放大器

作     者：王志鹏 孙浩 刘艳艳 关鸿 周曙光 朱红卫 WANG Zhipeng;SUN Hao;LIU Yanyan;GUAN Hong;ZHOU Shuguang;ZHU Hongwei

作者机构：南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300350 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海201203 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2019年第49卷第5期

页      码：609-612,617页

摘      要：基于130nm PD-SOI工艺,设计了一种用于GPS接收机射频前端的单片低噪声放大器(LNA)。利用SOI工艺特有的低噪声特性,降低了衬底耦合到电路的噪声。采用单独的带隙基准源和LDO为低噪声放大器供电,降低了电源纹波和高频噪声对放大器噪声性能的影响。测试结果表明,在3.3V电源电压、1.575GHz工作频率下,该LNA的噪声系数仅为1.49dB,增益为13.7dB,输入回波损耗S11、输出回波损耗S22均小于-15dB,输入P1dB为-13dBm,IIP3为-0.34dBm。

主 题 词：低噪声放大器 PD-SOI 全球定位系统 单片 噪声系数 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.180514

馆 藏 号：203818587...