瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟

作     者：王军 李勇 卢兵 周彬 陈厚和 黄亦斌 WANG Jun;LI Yong;LU Bing;ZHOU Bin;CHEN Hou-he;HUANG Yi-bin

作者机构：南京理工大学化工学院江苏南京210094 中国工程物理研究院化工材料研究所四川绵阳621999 宁波振华电器有限公司浙江宁波315722 

出 版 物：《含能材料》 (Chinese Journal of Energetic Materials)

年 卷 期：2019年第27卷第10期

页      码：837-844页

摘      要：为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响。结果表明,当钽电容等效串联电阻为288mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40nH和回路电阻为3.3mΩ时,22μF/16V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合。以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3%。模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低。当TVS的击穿电压在8~12V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟(2μs),且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长。

主 题 词：半导体桥(SCB) 瞬态电压抑制二极管 电爆特性 

学科分类：0817[工学-轻工类] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 082603[082603] 0826[工学-生物医学工程类] 0805[工学-能源动力学] 0802[工学-机械学] 0703[理学-化学类] 0811[工学-水利类] 0702[理学-物理学类] 0801[工学-力学类] 

核心收录：

D　O　I：10.11943/CJEM2019007

馆 藏 号：203820428...