一种EFlash高压自校准电路

作     者：孙铭阳 郑晓 郭桂良 SUN Ming-yang;ZHENG Xiao;GUO Gui-liang

作者机构：中国科学院大学北京100029 中芯国际集成电路制造有限公司上海201203 中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：国家自然基金(61501453) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2019年第36卷第11期

页      码：1-6页

摘      要：嵌入式闪存(Embedded Flash,EFlash)内部高压的准确性对其读取、编程和擦除的有效性至关重要.为了EFlash IP的高压误差尽可能小,电路预留了可调接口用于调整内部高压的数值.通过提出自动检测的算法和设计集自动化检测和校准一体的自测电路,达到快速校准高压的目的.实验以一个2 M存储容量的EFlash为对象,实现校准时间从3 s到30 ms的减少.

主 题 词：嵌入式闪存 高压 ATE 自校准 高效 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2019.11.001

馆 藏 号：203820596...