一种0.11μm SRAM PUF芯片的测试与分析

作     者：刘登科 刘伟 宋贺伦 殷志珍 茹占强 吴菲 赵俊君 Liu Dengke;Liu Wei;Song Helun;Yin Zhizhen;Ru Zhanqiang;Wu Fei;Zhao Junjun

作者机构：中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院合肥230026 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州215123 

基　　金：国家重点研发计划项目(2016YFE0129400) 国防基础科研重点项目(JCKY2017210B006) 中国科学院战略性先导科技专项(XDC02010900) “十三五”国家密码发展基金(MMJJ20180112)项目资助 

出 版 物：《电子测量技术》 (Electronic Measurement Technology)

年 卷 期：2019年第42卷第17期

页      码：88-94页

摘      要：物理不可克隆函数(PUF)是一种新型的信息安全硬件,在物联网、消费电子等领域正得到越来越广泛的应用。由于易于设计和制造,而且性能稳定,基于SRAM的PUF是目前得到工业界最广泛应用的PUF类型。针对一款自主设计的基于华虹0.11μm CMOS工艺的SRAM PUF,通过设计FPGA测试电路,PUF芯片测试板,对PUF芯片的片内汉明距离、片间汉明距离、稳定性等关键指标进行了详细测试和分析。测试结果表明,该PUF的片间汉明距离达到42.2%,片内汉明距离20.0%,可以满足身份识别、电子标签等应用的需求。同时,提出了对不稳定位进行筛选的系统级优化方法,可以在不进行模糊提取的情况下将片内汉明距离降低到2.1%。

主 题 词：FPGA SRAM PUF 串口通信 芯片测试 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19651/j.cnki.emt.1902719

馆 藏 号：203820600...