基于AlGaN/GaN HEMT的C波段功率放大器混合集成电路的设计

作     者：姚小江 李宾 陈延湖 陈小娟 魏珂 李诚瞻 刘丹 刘果果 刘新宇 王晓亮 罗卫军 YAO Xiao-jiang;LI Bing;CHEN Yan-hu;CHEN Xiao-juan;WEI Ke;LI Cheng-zhan;LUO Wei-jun;WANG Xiao-liang;LIU Dan;LIU Guo-guo;LIU Xing-yu

作者机构：中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室北京100029 四川龙瑞微电子有限公司成都610041 中国科学院半导体研究所北京100083 

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助(2002CB311903) 中国科学院重点创新资助(KGCX2-SW-107) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2007年第30卷第4期

页      码：1137-1139页

摘      要：我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm(5 W),最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4dBm(4.4 W),最大的PAE为42.7%.

主 题 词：微波功率放大器 AlGaN/GaN HEMT 混合集成电路(MIC) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.003

馆 藏 号：203824746...