高阻Si衬底对SiGe HBT高频性能的改善研究

作     者：杨维明 史辰 陈建新 YANG Weiming;SHI Chen;CHEN Janxin

作者机构：湖北大学物理学与电子技术学院铁电压电材料与器件湖北省重点实验室武汉430062 北京工业大学光电子技术实验室北京100022 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2007年第27卷第4期

页      码：503-508页

摘      要：选用电阻率高达1 000Ω·cm的硅衬底结构改善SiGe HBTs频率性能。介绍了器件的结构设计,根据衬底寄生参数模型分析了衬底阻抗影响器件高频性能的原理,计算出器件f_T和f_(max)随衬底电阻率变化的规律。测试结果表明,高电阻率衬底器件比n^+衬底器件的特征频率f_T提高了28%,而最高振荡频率f_(max)提高了47.7%;表明高电阻率衬底基本消除了SiGe HBT中大多数容性寄生网络;通过对器件的最小噪声系数的计算与测试分析,发现高阻Si衬底的引入使器件的噪声系数在低频时几乎不变,在高频时轻微增加。

主 题 词：高阻硅衬底 锗硅异质结晶体管 高频性能 最小噪声系数 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2007.04.016

馆 藏 号：203824862...