环栅结构CMOS/SOI器件SPICE模型研究

作     者：贺威 张正选 He Wei;Zhang Zhengxuan

作者机构：深圳大学电子科学与技术学院深圳518060 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2010年第35卷第6期

页      码：542-545页

摘      要：建立了环栅结构的CMOS/SOI器件的SPICE模型,可以对抗辐照设计中环栅结构的CMOS/SOI器件计算其等效宽长比,将环栅器件转换为等效宽度和长度的条栅器件;以及对体接触电阻等其他受影响的SPICE模型参数做出调整,使其电学特性模拟达到最准确精度。模拟数据和试验数据具有很好的一致性,证明所建立的模型具有较高的精度。

主 题 词：环栅 绝缘体上硅 SPICE模型 宽长比 体接触 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2010.06.007

馆 藏 号：203825874...