肖特基二极管伏安特性与导通压降相关性研究

作     者：董小兵 张少云 马小芹 徐传骧 王西英 

作者机构：西安交通大学西安710049 卫光爱尔电子有限公司西安710061 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：1999年第33卷第6期

页      码：54-57页

摘      要：根据金属与半导体之间肖特基势垒接触的电流电压关系设计出了一套简易的实验装置，研究了４０ＣＰＱ０４５ 型肖特基势垒二极管芯片小电流下（＜ ２Ａ）的正向电流电压特性。通过外推４０Ａ大电流下芯片结压降的数值，验证了通过小电流正向电流电压特性曲线来外推预测大电流下芯片结压降值的可行性。

主 题 词：肖特基二极管 伏安特性 导通压降 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203826323...