基于ESD的芯片失效分析

作     者：袁琰红 陈力 王英杰 高立明 

作者机构：上海交通大学电子信息与电气工程学院 上海交通大学材料科学与工程学院上海200240 

基　　金：教育部留学回国科研基金项目(Z1020204) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2012年第33卷第3期

页      码：397-400页

摘      要：提出了一种基于静电放电(ESD)的芯片可靠性测试及失效分析流程,并且以芯片静电放电测试为例详细阐述了芯片失效分析的过程与实现方法,包括电性失效分析和物理失效分析。通过专用仪器对芯片进行了静电放电测试,并利用红外微光显微镜(EMMI)及砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)等实现芯片故障定位,从而确定芯片的失效模式与失效机理,实验证明该方法切实有效,这种失效分析的结果对优化集成电路的抗静电设计以及外部工作环境的完善都具有重要的参考意义。

主 题 词：静电放电 失效分析流程 失效机理 显微镜 静电防护 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2012.03.023

馆 藏 号：203826893...