中子管射频离子源放电特性仿真研究

作     者：曲婉菊 张天 姜瀚 乔双 Qu Wanju;Zhang Tian;Jiang Han;Qiao Shuang

作者机构：东北师范大学物理学院 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11275046) 国家重大科学仪器设备开发专项资助项目(2013YQ040861) 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金资助项目(ZHD201701) 吉林省科技厅优秀青年人才基金(20190103010JH) 吉林省教育厅“十三五”科学技术研究规划项目(JJKH20190277KJ) 中国博士后科学基金面上项目(2018M641759) 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2019年第39卷第11期

页      码：994-998页

摘      要：国外射频离子源中子管的中子产额已经达到10^14n/s,明显优于潘宁源中子管。为了深入了解用于中子管射频离子源的放电特性,从射频感应耦合等离子体的放电原理入手,建立用于氢气放电模拟研究的理论模型。设计中子管射频离子源几何结构,运用麦克斯韦方程组在理论上推导了等离子体放电过程中影响粒子密度的因素。结合Comsol软件中的二维轴对称的电感耦合等离子体模型,采用单一变量法,通过仿真实验得到了线圈匝间距、线圈匝数、线圈直径、线圈功率和放电气压等参数对H^+密度分布和大小的影响。总结出H+在不同参数下的变化规律,得到了一些有价值的结论,为优化中子管射频离子源的实验参数和结构设计提供重要依据。

主 题 词：中子管 射频离子源 H^+密度 仿真实验 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.13922/j.cnki.cjovst.2019.11.10

馆 藏 号：203827869...