嵌入吸收式单刀八掷开关电路

作     者：王玲 唐小宏 肖飞 杨刘君 WANG Ling;TANG Xiao-hong;XIAO Fei;YANG Liu-jun

作者机构：电子科技大学电子工程学院成都611731 

出 版 物：《电子科技大学学报》 (Journal of University of Electronic Science and Technology of China)

年 卷 期：2015年第44卷第6期

页      码：830-834页

摘      要：提出了一种嵌入吸收式单刀八掷开关电路结构。利用PIN二极管的通断特性,设计了1个在14~18 GHz频率范围内的吸收式单刀八掷（SP8T）开关电路,导通损耗小于3.9 d B,输出端回波损耗大于10 d B;隔离度大于60 d B,输入、输出端回波损耗大于12 d B。该电路将吸收电阻嵌入在基片下接地板内,相比传统结构的吸收式开关电路,具有在导通状态下损耗略小;在关断状态下输出端反射信号较小。该嵌入吸收式结构也可应用于吸收式的衰减电路及限幅电路中。

主 题 词：嵌入吸收式 匹配电路 寄生参数 单刀八掷开关 表面波 

学科分类：080805[080805] 080904[080904] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.006

馆 藏 号：203828446...