埋氧层固定界面电荷对RESURF SOI功率器件击穿特性的影响

作     者：郭宇锋 李琦 罗小蓉 杨寿国 李肇基 张波 

作者机构：电子科技大学IC设计中心四川成都610054 

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439020103DZ0201) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2004年第34卷第2期

页      码：181-184页

摘      要：　通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程,建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURFSOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模型。解析结果与半导体器件模拟器MEDICI数值分析结果相吻合。在此基础上,分别研究了Qf对RESURFSOI功率器件横向和纵向击穿特性的影响规律。在横向,讨论了不同硅膜厚度、氧层厚度和漂移区长度情况下Qf对表面电场分布的影响;在纵向,通过分析硅膜内的场和势的分布,提出了临界埋氧层固定界面电荷密度的概念,这是导致器件发生失效的最低界面电荷密度。

主 题 词：埋氧层 固定界面电荷 RESURF SOI 功率器件 击穿 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2004.02.023

馆 藏 号：203829160...