InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度测量

作     者：刘永智 余般枚 边红 

作者机构：电子科技大学成都610054 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1993年第14卷第7期

页      码：429-433页

摘      要：本文报道一种应用波导耦合光栅测量InGaAsP/InP外延薄膜折射率与厚度的方法。该法测量精度高,具有非破坏性与工艺实时性优点。外延薄膜折射率与厚度测量精度分别可达到±2×10^(-3)与±1×10^(-2)μm,这完全满足DFB与DBR等一类半导体激光器以及有源导波光学器件的设计需要。

主 题 词：InGaAsP/InP 薄膜 折射率 厚度测量 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203829209...