单晶硅同质互抛实验研究

作     者：李庆忠 孙苏磊 李强强 LI Qingzhong;SUN Sulei;LI Qiangqiang

作者机构：江南大学机械工程学院 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51175228) 

出 版 物：《中国机械工程》 (China Mechanical Engineering)

年 卷 期：2019年第30卷第23期

页      码：2773-2777页

摘      要：以材料的去除率和表面粗糙度为评价指标设计对比实验,验证了硬脆材料互抛抛光的可行性,得到了抛光盘转速对硬脆材料互抛的影响趋势和大小。实验结果表明:当抛光压力为48265 Pa(7 psi)、抛光盘转速为70 r/min时,自配抛光液互抛的材料去除率为672.1 nm/min,表面粗糙度为4.9 nm,与传统化学机械抛光方式的抛光效果相近,验证了硬脆材料同质互抛方式是完全可行的;互抛抛光液中可不添加磨料,这改进了传统抛光液的成分;采用抛光液互抛时,材料去除率随着抛光盘转速的增大呈现先增大后减小的趋势,硅片的表面粗糙度随着抛光盘转速的增大呈先减小后增大的趋势。

主 题 词：硅片 硬脆材料 互抛 化学机械抛光 对比实验 抛光效果 

学科分类：12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程类] 08[工学] 0802[工学-机械学] 080201[080201] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1004132X.2019.23.001

馆 藏 号：203830061...