InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色红外焦平面探测器

作     者：朱旭波 彭震宇 曹先存 何英杰 姚官生 陶飞 张利学 丁嘉欣 李墨 张亮 王雯 吕衍秋 Zhu Xubo;Peng Zhenyu;Cao Xiancun;He Yingjie;Yao Guansheng;Tao Fei;Zhang Lixue;Ding Jiaxin;Li Mo;Zhang Liang;Wang Wen;Lv Yanqiu

作者机构：中国空空导弹研究院河南洛阳471099 红外探测器技术航空科技重点实验室河南洛阳471099 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2019年第48卷第11期

页      码：91-96页

摘      要：InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器器件结构设计、材料外延、芯片制备,对钝化方法进行了研究,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器。首先以双色叠层背靠背二极管电压选择结构作为基本结构,设计了中/短波双色芯片结构,然后采用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷密度的PNP结构超晶格材料。采用硫化与SiO2复合钝化方法,最终制备的器件在77 K下中波二极管的RA值达到13.6 kΩ·cm^2,短波达到538 kΩ·cm^2。光谱响应特性表明短波响应波段为1.7~3μm,中波为3~5μm。双色峰值探测率达到中波3.7×10^11cm·Hz^1/2W^-1以上,短波2.2×10^11cm·Hz^1/2W^-1以上。响应非均匀性中波为9.9%,短波为9.7%。中波有效像元率为98.46%,短波为98.06%。

主 题 词：InAs/GaSb超晶格 双色 中短波 焦平面阵列 红外探测器 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/IRLA201948.1104001

馆 藏 号：203830062...