InGaN/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响

作     者：李超荣 吕威 张泽 

作者机构：中国科学院物理研究所北京电镜实验室北京100080 

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (No .5 0 2 72 0 81) 国家科技部 973重大项目 (No.2 0 0 2CB613 5 0 0 ) 

出 版 物：《电子显微学报》 (Journal of Chinese Electron Microscopy Society)

年 卷 期：2004年第23卷第4期

页      码：402-402页

摘      要：量子阱或超晶格的应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型[1～3],但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的模型所使用的范围尚不确定,因此激发了从实验上予以研究的要求.另外,含N的Ⅲ-V族究竟适用何种模型尚无定论,且对其弛豫行为以及对性能的影响缺乏细致的研究.

主 题 词：半导体材料 铟镓氮/氮化镓量子阱 超晶格结构 应变弛豫 临界厚度 透射电子显微镜 X射线衍射 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-6281.2004.04.104

馆 藏 号：203832775...