MOCVD生长InGaN合金的表面形貌与光学性质研究(英文)

作     者：苑进社 张淼 竹有章 YUAN Jin-she;ZHANG Miao;ZHU You-zhang

作者机构：西安理工大学应用物理系陕西西安710048 西安交通大学应用物理系陕西西安710049 

基　　金：NationalNaturalScienceFoundationofChina(No.10474078) 

出 版 物：《电子显微学报》 (Journal of Chinese Electron Microscopy Society)

年 卷 期：2006年第25卷第3期

页      码：187-189页

摘      要：基于X射线衍射和原子力显微分析,研究了MOCVD生长的InGaN合金的表面形貌和光致发光光谱。结果发现本实验所用InGaN合金样品表面形貌呈现类花生状微结构团簇,纳米尺度较小的球状富铟InGaN颗粒附着在较大颗粒上;X射线衍射数据计算得微晶粒度折合当量直径约23nm。原子力显微测量得典型的微结构团簇横向宽度约400nm^900nm,表面粗糙度在所选择的6.43μm区域内方均根值为11.52nm,3.58μm区域内方均根值为8.48nm。在室温下用325nm连续激光激发测得样品的表面发光光谱,结果显示光致发光光谱出现多峰结构,其主要发光峰峰值波长分别位于569nm、532nm和497nm。理论计算分析认为发光光谱多峰结构可能是由于InGaN/GaN异质结构形成的F-P垂直腔中多光束干涉调制效应造成的,同时InGaN合金的尺度和组分涨落导致较宽的发光峰。研究结果对设计GaN基半导体光电子器件具有一定的参考价值。

主 题 词：InGaN/GaN异质结构 表面形貌 光致发光 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-6281.2006.03.001

馆 藏 号：203832775...