量子阱半导体激光器P-I特性曲线扭折的研究

作     者：邹德恕 廉鹏 徐晨 崔碧峰 杜金玉 张丽 刘莹 李建军 沈光地 

作者机构：北京工业大学北京光电子技术实验室北京100022 

基　　金：国家自然科学基金重大资助项目 (69892 60 -0 6) 国家"973"资助项目 (G2 0 0 0 683 -0 2 ) 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2002年第13卷第6期

页      码：547-549页

摘      要：小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后 ,其 P- I特性曲线可能偏离理想的线性区 ,出现扭折现象 ,从而会严重影响激光器与光纤的耦合。本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系。通过优化激光器纵向结构设计 ,采用较窄的有源区 ,在 MOCVD结构生长中用碳作 P型掺杂 ,制造出来的未镀膜激光器在 10 0 m A注入电流下输出光功率 5 0 m W未出现 P- I特性的扭折。

主 题 词：半导体激光器 P-I特性曲线 扭折 量子阱 阈值电流 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1005-0086.2002.06.001

馆 藏 号：203832907...