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YVO<sub>4</sub>晶体的负折射特性分析与应用

YVO4晶体的负折射特性分析与应用

作     者:陈清明 窦子凡 

作者机构:武汉理工大学理学院湖北 武汉 

出 版 物:《应用物理》 (Applied Physics)

年 卷 期:2019年第9卷第12期

页      码:504-510页

摘      要:论文研究YVO4中负折射的相关定量细节,以利用该结果设计新型晶体波导结构。利用e光在单轴晶体表面的折射公式,得到入射角、折射角、光轴取向角变化对负折射现象的影响:折射角随入射角增大而增大,随光轴取向角的增大先减小后增大再减小,真空与YVO4界面最大负折射角的最佳光轴取向角为46.43?。单轴晶体负折射可用于隐身技术中,利用两块光轴对称取向的YVO4孪晶结构可引导e光绕行一定范围或偏折一定的角度。定量的负折射实现条件、入射角及折射角范围,以及孪晶结构的光线偏折现象对YVO4晶体都有定量指导意义。

主 题 词:负折射 YVO4晶体 光轴 晶体波导 

学科分类:080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D O I:10.12677/APP.2019.912062

馆 藏 号:203835272...

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